CFA21
Dünaamiline muutmälu (DRAM)
Dynamic random-access memory (DRAM)
L3
DEFINITSIOON · ET
kasutab iga biti salvestamiseks metall-oksiid-pooljuht (MOS) mäluelemente, mis koosnevad ühest MOSFET-ist (MOS-väljatransistorist) ja ühest MOS-kondensaatorist
DEFINITION · EN
uses metal–oxide–semiconductor (MOS) memory cells consisting of one MOSFET (MOS field-effect transistor) and one MOS capacitor to store each bit
ExamplesFPM DRAM, EDO DRAM, VRAM, SDRAM (DDR SDRAM: DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM, DDR4 SDRAM; RDRAM: DRAM; SGRAM: GDDR SDRAM: GDDR2, GDDR3 SDRAM, GDDR4 SDRAM, GDDR5 SDRAM, GDDR6 SDRAM; HBM), PSRAM
CONNECTED ↘
ÜlemkoodCFTeavet talletav objekt
last_edited: 17.05.2026, 12:46